AI算力服务器/交换机用高速差分铜缆,信号衰减、Skew及阻抗稳定性,核心取决于绝缘等效Dk(空气≈1,实心FEP≈2.1)。越近空气,高频损耗越低。为低成本降低等效Dk,发展了五条技术路线,简述如下:
| 结构 | 介质类型 | 核心亮点 | 主要短板 | 主流速率 | ||||||||||
| EPTFE 绕包 | 多孔绕包 | 损耗低 | 成本高、工艺难 | 448G/800G | ||||||||||
| 双 FEP 挤出 | 双层实心 FEP | 工艺成熟、机械性能好 | 衰减偏高 | ≤224G | ||||||||||
| 双导体共挤 | 一体实心绝缘 | 对内延时差极小 | 实心介质损耗大 | 短距 224G 内 | ||||||||||
| 物理发泡 FEP | 密闭微孔发泡 | 低损耗、成熟方案 | 设备昂贵、弯折易漂移 | 224G~448G | ||||||||||
| 藕芯结构 | 纵向贯通空腔 | 兼顾性能与量产成本 | 结构抗压有限 | 448G 主流新方案 |
EPTFE 绕包结构方案

结构分层
红色:信号导体(镀银铜 / 铜合金)
灰色:导体内层非发泡FEP绝缘
浅蓝:EPTFE 绕包绝缘主体
深蓝:外层保护包带,铜箔,铝箔等结构
两侧小红圆:地线结构
1.工艺原理
采用膨化PTFE 薄膜,以固定张力、重叠率螺旋缠绕在导体外,依靠EPTFE 微孔结构,实现低介电常数(Dk≈1.4~1.6)。
2.特点
低介质损耗、优异高频衰减、高耐温,且Dk接近空气。
3.适用
448G/800G 超高速铜缆、长距离高速互连、对插入损耗要求严苛的高端算力链路。
双FEP挤出

结构分层(由内向外)
两根独立信号导体(镀银铜 / 铜合金)
内层:实心 FEP 绝缘(单根导体单独挤出)
外层:整体 FEP 共挤包覆层(两根绝缘芯线整体二次挤出)
两侧红色地线结构
1.工艺原理
两步挤出:先分别挤出单根FEP绝缘芯线,再将两根芯线并列,整体挤出外层 FEP 包覆,形成双层实心氟塑料绝缘。
2.特点
具备优良的结构尺寸稳定性、耐化学腐蚀性和机械强度,同时工艺成熟,良率稳定。
3.适用
适用于224G及以下中短距、耐高温、低成本高速差分链路。
双导体共挤(一体共挤)

结构分层(由内向外)
两根平行信号导体
一体式实心FEP/PFA绝缘,单次挤出使双导体共置于同一绝缘层中
外层薄保护带
两侧定位地线
1.工艺原理
采用特殊椭圆双芯模具,一次挤出将两根导体嵌入同一绝缘介质中,导体中心距在挤出阶段直接锁定。
2.优点
导体间距一致性极高,对内延时差(skew)极小;生产工序少、成本优于双 FEP 两步挤出;阻抗一致性优益。
3.适用
短距离高速线缆、PCB 板端互联、高速背板连接线、低对内偏斜需求链路。
物理发泡 FEP

结构分层(由内向外)
双信号导体
物理发泡FEP绝缘层(绝缘内部布满密闭微小独立气泡)
外层为实心FEP皮层,起封泡作用以防止气泡塌陷
外部保护层
1.工艺原理
挤出时向熔融FEP注入高压氮气,形成密闭微孔,以空气稀释降低Dk。
2.特点
介电常数显著低于实心FEP,衰减性能优于实心挤出,阻抗可控。
3.适用
224G~448G 数据中心高速线缆,中长距离高速互连。
藕芯结构

结构分层(由内向外)
两根信号导体
导体外围一圈环形纵向贯通气孔(沿线缆长度方向连续空腔,类似莲藕孔洞)
外层实心 FEP 绝缘基体
两侧定位支撑线
1. 工艺原理
专用藕芯模具挤出,在导体周边形成纵向连续贯通空气通道,利用空气超低 Dk 改善传输特性;气孔互相连通,区别于物理发泡的密闭气泡。
2. 特点
同等损耗下,相比物理发泡弯折阻抗变化更小;国产设备即可量产,成本更低;高频信号完整性表现突出;不需要高压发泡设备。
3. 适用场景
PCIe6.0、448G 新一代高速铜缆,当前算力服务器新兴方案。
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